هیپرترمیا ( Hyperthermia ) به طور کلی به مفهوم افزایش دمای ناحیه بخصوصی از بدن به اندازه ۵ درجه بالاتر از دمای فیزیولوژیک بدن است. به طور کلی این افزایش حرارت برای از بین بردن تومورهای سرطانی همزمان با رادیوتراپی و شیمی درمانی استفاده می شود. به طوری که سلولهای سالم اطراف تومور دچار آسیب دیدگی نشوند.
بیشترین روشهای متداولی که تا کنون در گرماتراپی استفاده شده است می توان از استفاده از امواج مایکروویو یا لیزر درمانی یا استفاده از تابشهای یونیزه کننده نام برد که البته از این روشها برای حرارت دادن و از بین بردن تومورهای سطحی در روی پوست استفاده می شود.
همه این روشهای درمانی برای از بین بردن تومورهای سرطانی مؤثرند ولی در نهایت این روشهای درمانی دارای مضراتی هستند که از جمله می توان به تأثیر امواج یونیزه بر روی ژن ها اشاره کرد.
۲. نحوهی عملکرد دستگاه هایپرترمیا
ذرات نانو ساختار با خواص نوری قابل تغییر و سایزهای متفاوت بیان کننده روشهای جدیدی برای درمان های گرمایی هستند. که از آن می توان به استفاده از نانو لوله های طلا اشاره کرد که می توان تابشهای ( IR ) را به گرما تبدیل کند و سلولهای سرطانی را از بین ببرند. روش هیپرترمیا که در این پروژه موضوع مورد بحث است، گرماتراپی با استفاده از مواد نانومغناطیسی (MFH) Magnetic Fluid Hyperthermia است. نانو ساختارهای مغناطیسی که برای گرماتراپی مورد استفاده قرار می گیرند می توانند فرومغناطیس یا فری مغناطیس باشند که بدون حضور میدان هم از خود خاصیت مغناطیسی نشان می دهند. و ذرات نانو مغناطیسی مانند آهنرباهای ثابت دارای اسپین های مغناطیسی هستند که همه در یک جهت منظم شده اند؛ یک میدان مغناطیسی متغیر می تواند انرژی لازم را برای غیر هم جهت کردن اسپین های مغناطیسی در ماده نانو ساختار فراهم می کنند. این انرژی مغناطیسی وقتی آزاد شود می تواند به انرژی گرمایی تبدیل شود، زیرا برای انجام تغییر جهت دوباره در اسپین های مغناطیسی این انرژی ها می تواند نانو ساختارهای مغناطیسی را همچنین به صورت فیزیکی بچرخانند. که انرژی گرمایی حاصل از این تغییر جهت برای ایجاد گرما در درون سلول استفاده می شود. همچنین اصطکاک ایجاد شده حاصل از چرخش نانو ساختارهای مغناطیسی درون سیال با وسکوزیته و غلظت بالا تا رسیدن به حالت تعادل فیزیکی می تواند باعث ایجاد گرما شود. پس روش ایجاد گرما توسط سیال مغناطیسی برای درمان سرطان شامل تزریق سیال مغناطیسی حامل نانو ساختارهای مغناطیسی به طور مستقیم درون تومورهای سرطانی است. وقتی که بیمار در یک میدان مغناطیسی متغیر با فرکانس های نزدیک به سیگنال رادیوی ( FM ) قرار گیرد که در این صورت نانو ذرات مغناطیسی ایجاد گرما کنند و تومور سرطانی را از بین ببرند. البته حتی در روشهایی که از لیزر یا مایکروویو یا التراسوند برای ایجاد گرما استفاده می شود. از ایجاد گرمای اضافی درون بافتهای سالم جلوگیری می شود زیرا فقط نانو ذرات مغناطیسی، میدان مغناطیسی را جذب می کنند. سیال های حامل ذرات مغناطیسی باید آب یا هیدروکربنها باشند و برای استفاده های پزشکی حتما باید این ذرات غیر سمی و از لحاظ بیولوژیکی سازگار با شرایط بدن باشند و دارای PH طبیعی و محلول در آب باشند به طوری که در سیال براحتی ته نشین نشده و سایز آن ها باید به اندازه کانی کوچک باشند. جمع آوری این ذرات نانو مغناطیسی در ناحیه تومور بعد از تزریق هم مهم است، که راهکار آن می تواند سنتز و چسباندن پروتئین ها و موادی بروی ماده نانو ساختار مغناطیسی باشد که به سلول سرطانی بچسبد یا با استفاده از آرایه ای از الکترو مگنتها بتوان آنها را در ناحیه تومور گیر اندازی کرد به طوری که در ناحیه تومور متمرکز شده و برای ادامه درمان استفاده شوند.هیپرترمیا
۳. مشخصات فني و تكنولوژي دستگاه:
- مولد میدان الکترومغناطیسی به روش القایی
- فرکانس قابل تنظیم بر روی ۱۰۰, ۲۰۰, ۳۰۰, ۴۰۰ KHZ
- حداکثر توان ۳۰۰W
- دارای سلف به قطر ۵cm و ارتفاع ۴cm (مناسب برای انواع Sampler ، موش و RAT)
- دارای یک دماسنج ترمیستوری با دقت ۰.۱ ºC ( در حالت Puase قابل استفاده میباشد.)
مورد دیگر که بسیار مشابه است راه اندازهای کورههای القایی است که از نظر توان و نوع بار مشابه بوده ولی با فرکانس پایین و ثابت هستند و از نظر بار مورد نظر برای گرم کردن برای فلزات با ابعاد ماکرو مناسب هستند و نه برای نانو ذرات. در ضمن مدارات کنترلی آنها برای حجم های متفاوت فلز مورد نظر برای مذاب کردن با مدارات کنترلی گرم کردن نانو ذرات که وجود یا عدم وجود آنها تاثیر چندانی در جریان دستگاه ندارد، متفاوت میباشد.
لازم به ذکر است که منابع تغذیه فرکانس بالا با نام سیگنال ژنراتور در بازار موجود میباشند که ممکن است با ژنراتور مورد بحث به اشتباه مقایسه شود. دلیل این امر این است که این منابع از نظر فرکانسی مشابه است ولی کاربرد آن در آزمایشگاههای الکترونیک است و خروجی آن فقط قابل اتصال به ورودی یک طبقه امپدانس بالا است، زیرا این منابع قدرت جریاندهی بسیار کمی هستند ( در حد چند ده میلی آمپر). در این پروژه به منبعی احتیاج داریم که قدرت جریان دهی بسیار بالا (در حد چند ده آمپر) داشته باشد و قابلیت اتصال به یک بار سلفی با امپدانس خیلی پایین را داشته باشد.
۴. شرايط لازم براي نصب دستگاه هایپرترمیا
الف- با توجه به حساسيت و نويز پذيري دستگاه های دیگر بهتر است محل نصب دستگاه اختصاصي باشد و به دور از دستگاهای حساس باشد.
ب - استفاده از موکت براي کف اتاق
ج- ميز چوبی و یا پلیمری جداگانه برای دستگاه که قطعات فلزی نداشته باشد الزامي است.
د- تهيه يک پريز مناسب ارت دار براي دريافت برق دستگاه
ه- ارت سيم سيار و پريز استفاده شده حتما متصل باشد.