ویرا سگال کارو
ویرا سگال کارو
shop icon svg
میکروسکوپ الکترونی FIB-SEM مدلXEIA ۳
میکروسکوپ الکترونی FIB-SEM مدلXEIA 3
  • تعداد بازدید : ۱۴۱ بار

0
میکروسکوپ الکترونی FIB-SEM مدلXEIA ۳

تصویربرداری فوق العاده با رزولوشن و وضوح تصویر بسیار بالا و قدرت فوق العاده micromachining در یک دستگاه واحد جمع شده است.

آیا نمونه های شما نیاز به پرداخت فوق العاده قدرتمند و فوق العاده سریع در مقیاس میکرو یا نانو توسط FIB دارند و یانیاز به تصاویری با رزولوشن و وضوح فوق العاده بالا در انرژی پایین پرتو دارید؟ میکروآنالیز فوق العاده سریع و قابل اعتماد و یا بازسازی های تحلیلی سه بعدی مورد نیاز شما است؟دستگاه XEIA۳ به عنوان یک سیستم FIB-SEM ایده آل تمام این قابلیت ها را در یک ابزار منحصر به فرد و با عملکرد عالی ارائه می دهد. TESCAN با این دستگاه نه تنها یک ابزار بالاتر از کلاس خود را ارائه می دهد، بلکه بار دیگر به تعهد خود برای ادامه کمک به پژوهشگران به سوی پیشرفت علم و توسعه عمل کرده است. این همچنین در سفارشی دقیق هر سیستم منعکس شده است تا نیازهای خاص هر مشتری را برآورده کند. از مواد به علوم زیستی یا از مهندسی تا صنعت نیمه هادی TESCAN عملکرد این دستگاه را بدون هیچ مشکلی تضمین میکند.

 

ویژگی های کلیدی:

- طراحی منحصر به فرد دید وسیع (wide Field Optics) به همراه یک لنز متوسط اختصاصی (IML) یک رنج وسیعی از مودهای کاری و تصویربرداری را ممکن میسازد (به عنوان مثال عمق فوکوس های مختلف)

- Real time In-Flight Beam Tracing برای عملکرد و بهینه سازی پرتو که قابلیت کنترل مستقیم و مداوم روی اندازه و جریان پرتو را دارد.

- تنظیمات سیستم الکترونی به صورت کاملا اتوماتیک.

- سرعت بالای تصویربرداری با نرخ حدودا ۲۰ نانوثانیه.

- تصویربرداری منحصر به فرد استریوسکوپی با استفاده از تکنولوژی پیشرفته ۳D Beam که تجربه بررسی و تصویر بردازی ۳D در مقیاس نانو و میکرو را در اختیار کاربر میگذارد.

- ۵۰ برابر سریعتر از FIB های LMIS Ga.

- جریان جریان یون ۱pA تا ۲μA و رزولوشن کمتر از ۲۵نانومتر

- حجم بالایی از یون های xenon با جریان FIB بزرگتر برای اسپاترینگ فوق العاده سریع حتی بدون افزایش گاز کمکی

- کاهش قابل توجهی در نفوذ یون (ion implantation) در مقایسه با FIB های LMIS Ga

- اتم های گاز نجیب Xe خواص الکتریکی را در مجاورت منطقه مورد بررسی نشان نمی دهند

- بدون ایجاد ترکیبات اینترمتالیک در طی پرتودهی FIB

مشخصات اطلاعات شرکت فروشنده این محصول

شرکت فروشنده : آریا الکترون اپتیک
تلفن ثابت : ۰۲۱۸۸۰۵۱۲۴۸
اطلاعات بیشتر : مشاهده
فرم ثبت سفارش آنلاین
هنوز دیدگاهی ثبت نشده است
loading
دیدگاه شما ارسال شد
میکروسکوپ الکترونی FIB-SEM مدلXEIA ۳

تصویربرداری فوق العاده با رزولوشن و وضوح تصویر بسیار بالا و قدرت فوق العاده micromachining در یک دستگاه واحد جمع شده است.

آیا نمونه های شما نیاز به پرداخت فوق العاده قدرتمند و فوق العاده سریع در مقیاس میکرو یا نانو توسط FIB دارند و یانیاز به تصاویری با رزولوشن و وضوح فوق العاده بالا در انرژی پایین پرتو دارید؟ میکروآنالیز فوق العاده سریع و قابل اعتماد و یا بازسازی های تحلیلی سه بعدی مورد نیاز شما است؟دستگاه XEIA۳ به عنوان یک سیستم FIB-SEM ایده آل تمام این قابلیت ها را در یک ابزار منحصر به فرد و با عملکرد عالی ارائه می دهد. TESCAN با این دستگاه نه تنها یک ابزار بالاتر از کلاس خود را ارائه می دهد، بلکه بار دیگر به تعهد خود برای ادامه کمک به پژوهشگران به سوی پیشرفت علم و توسعه عمل کرده است. این همچنین در سفارشی دقیق هر سیستم منعکس شده است تا نیازهای خاص هر مشتری را برآورده کند. از مواد به علوم زیستی یا از مهندسی تا صنعت نیمه هادی TESCAN عملکرد این دستگاه را بدون هیچ مشکلی تضمین میکند.

 

ویژگی های کلیدی:

- طراحی منحصر به فرد دید وسیع (wide Field Optics) به همراه یک لنز متوسط اختصاصی (IML) یک رنج وسیعی از مودهای کاری و تصویربرداری را ممکن میسازد (به عنوان مثال عمق فوکوس های مختلف)

- Real time In-Flight Beam Tracing برای عملکرد و بهینه سازی پرتو که قابلیت کنترل مستقیم و مداوم روی اندازه و جریان پرتو را دارد.

- تنظیمات سیستم الکترونی به صورت کاملا اتوماتیک.

- سرعت بالای تصویربرداری با نرخ حدودا ۲۰ نانوثانیه.

- تصویربرداری منحصر به فرد استریوسکوپی با استفاده از تکنولوژی پیشرفته ۳D Beam که تجربه بررسی و تصویر بردازی ۳D در مقیاس نانو و میکرو را در اختیار کاربر میگذارد.

- ۵۰ برابر سریعتر از FIB های LMIS Ga.

- جریان جریان یون ۱pA تا ۲μA و رزولوشن کمتر از ۲۵نانومتر

- حجم بالایی از یون های xenon با جریان FIB بزرگتر برای اسپاترینگ فوق العاده سریع حتی بدون افزایش گاز کمکی

- کاهش قابل توجهی در نفوذ یون (ion implantation) در مقایسه با FIB های LMIS Ga

- اتم های گاز نجیب Xe خواص الکتریکی را در مجاورت منطقه مورد بررسی نشان نمی دهند

- بدون ایجاد ترکیبات اینترمتالیک در طی پرتودهی FIB

مشخصات اطلاعات شرکت فروشنده این محصول

شرکت فروشنده : آریا الکترون اپتیک
تلفن ثابت : ۰۲۱۸۸۰۵۱۲۴۸
اطلاعات بیشتر : مشاهده
فرم ثبت سفارش آنلاین